Los láseres semiconductores se inventaron en 1962 y alcanzaron el funcionamiento de onda continua con doble heteroestructura en 1970, convirtiéndose en la fuente de luz principal para las comunicaciones ópticas. El sistema InGaAsP/InP admite la banda de comunicación de baja pérdida de 1300/1550 nm y MOCVD se ha convertido en la tecnología de fabricación principal.
Un láser semiconductorConsiste en un medio de ganancia y un resonador Fabry-Perot. La inversión de la población se realiza mediante inyección de portador y el láser se genera mediante emisión estimulada. El espaciado del modo longitudinal está determinado por la longitud de la cavidad y el bloqueo del modo requiere sincronización de fase de múltiples modos longitudinales.
Esquema de un láser de área amplia
Varios diseños láser utilizando el sistema de materiales InGaAsP/InP.
Se adopta el sistema de material InGaAsP/InP para la banda de comunicación, que cubre 1300-1600 nm. El crecimiento epitaxial de MOCVD logra una combinación de red de alta precisión, que es el esquema de fabricación central para láseres comerciales.
La corriente umbral aumenta exponencialmente con la temperatura y la temperatura característica T₀ refleja la estabilidad de la temperatura. La modulación de alta velocidad se basa en estructuras guiadas por índices fuertes y de baja capacitancia.
Los láseres semiconductores se caracterizan por un tamaño pequeño y una alta confiabilidad, y actúan como fuente de luz central para comunicaciones ópticas, fuentes de bombeo, impresión y detección, y respaldan la miniaturización y la integración de sistemas ultrarrápidos con modo bloqueado.
