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Fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46
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Fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46

Box Optronics suministra el fotodiodo PIN InGaAs TO46 de 1 mm, diseñado para la detección de infrarrojo cercano de alta sensibilidad en la banda de longitud de onda de 900 nm a 1650 nm. Con alta capacidad de respuesta (típicamente 0,95 A/W a 1550 nm), baja corriente oscura y baja capacitancia. Alojado en una lata de metal TO46 compacta, herméticamente sellada y con una ventana plana, el fotodiodo ofrece un funcionamiento fiable a largo plazo en un rango de temperatura ampliado de -40 °C a +85 °C. Ideal para integración en medidores de potencia óptica, instrumentos de prueba y sistemas de comunicación de fibra óptica.

Descripción general del producto: fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46


El fotodiodo PIN de InGaAs de 1 mm (modelo BPD-1STO46B-FW) de Box Optronics es un fotodetector de InGaAs de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de detección de infrarrojo cercano (NIR). Con una estructura de diodo PIN, convierte la potencia óptica incidente en el rango de longitud de onda de 900 a 1650 nm en una fotocorriente proporcional con alta linealidad y sensibilidad. Con un área activa de 1 mm de diámetro. Empaquetado en una lata metálica hermética TO46 con una ventana óptica plana, el fotodiodo es mecánicamente robusto, lo que garantiza un rendimiento estable en condiciones industriales y de laboratorio exigentes. Estos atributos lo convierten en una excelente opción para el monitoreo de potencia óptica, medición de pruebas de fibra óptica, detección láser y espectroscopia NIR.


Características principales: fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46


• Diámetro del área activa: 1 mm para una recogida eficiente de la luz

• Amplio rango de respuesta espectral: 900 nm a 1650 nm

• Alta capacidad de respuesta: 0,9 A/W típico a 1310 nm, 0,95 A/W a 1550 nm

• Corriente oscura ultrabaja, capacitancia de unión baja

• Alta confiabilidad y estabilidad a largo plazo

• Paquete metálico hermético de ventana plana TO46

• Configuración TO-CAN estándar para un fácil montaje


Aplicaciones típicas: fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46


• Medidores de potencia óptica y módulos de monitoreo de potencia óptica

• Equipos de prueba y medición de fibra óptica

• Detección de señales ópticas y monitoreo de energía en sistemas de telecomunicaciones

• Espectroscopia de infrarrojo cercano (NIR) e instrumentos analíticos

• Sistemas de control y monitoreo de potencia láser

• Calibración y caracterización del atenuador óptico

• Investigación y desarrollo en laboratorios de fotónica

• Integración de módulos ópticos y desarrollo de subsistemas fotónicos.


Especificaciones técnicas: fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46


Clasificaciones máximas absolutas (TC = 25°C)

Parámetro

Símbolo

Clasificación

Unidad

voltaje inverso

VRmáx

20

V

Temperatura del caso operativo

ARRIBA

-40 ~ +85

°C

Temperatura de almacenamiento

TST

-55 ~ +120

°C

Características electroópticas (TC = 25°C)

Parámetro

Símbolo

Condición de prueba

Mín.

Tipo.

Máx.

Unidad

Diámetro del área activa

φ

-

-

1

-

milímetros

Rango espectral

λ

-

900

-

1650

Nuevo Méjico

Responsividad a 1310 nm

R

VR = -5V

0.85

0.9

-

Otoño/Invierno

Responsividad a 1550 nm

R

VR = -5V

-

0.95

-

Otoño/Invierno

Voltaje inverso de funcionamiento

realidad virtual

-

-

-5

-

V

corriente oscura

Identificación

VR = -5V

-

1.5

5.0

n / A

Capacitancia de unión

C

VR = -5V, f = 1MHz

-

50

80

pF

Ancho de banda de 3 dB

peso corporal

VR = 0V, RL = 50Ω

-

40

-

megahercio


Detalles del producto: fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46


¿Qué es un fotodiodo PIN de InGaAs?

Un fotodiodo PIN de InGaAs es un detector semiconductor de alta sensibilidad diseñado para la detección óptica del infrarrojo cercano (NIR). Basado en una estructura semiconductora P-I-N, convierte los fotones incidentes en fotocorriente con excelente linealidad y estabilidad.

Los fotodiodos de InGaAs, que funcionan de 900 nm a 1700 nm, proporcionan una alta capacidad de respuesta en las bandas de comunicación óptica y la región SWIR, lo que los hace adecuados para pruebas de fibra óptica, monitoreo de potencia óptica, espectroscopia y aplicaciones de detección.

El área activa de 1 mm ofrece una capacidad mejorada de recolección de luz y una tolerancia de acoplamiento mejorada, lo que proporciona un excelente equilibrio entre sensibilidad, flexibilidad de alineación y velocidad de detección.


Aspectos destacados del rendimiento: fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46


• Alta capacidad de respuesta y eficiencia cuántica

• Corriente oscura ultrabaja

• Baja capacitancia y respuesta rápida

• Amplia cobertura espectral

• Paquete hermético TO46


Dimensiones del paquete y definición del pin: fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46


Tipo de paquete: Lata de metal hermética TO46, ventana plana (TO-CAN de 3 pines)

Diámetro de la lata: φ5,4 ± 0,2 mm (exterior), φ4,7 ± 0,1 mm (interior)

Diámetro de la ventana: φ3,9 ± 0,1 mm

Configuración de pines (vista inferior): Pin 1 = Ánodo (lado P), Pin 2 = Caja (GND), Pin 3 = Cátodo (lado N)


 

 


Información de pedido


Nomenclatura del modelo

TLP - X X A XX - X - X

Ejemplo: BPD-1STO46B-FW

Campo

Código

Descripción

Serie de productos

TLP

Serie de fotodiodos de caja

Tamaño del área activa

1S

1S = 1 mm de diámetro (2S = 2 mm, 3S = 3 mm, 5S = 5 mm)

Tipo de paquete

TO46

TO46 = Paquete TO46 (TO5=TO5)

Tipo de pasador

B

B = Distribución de pines tipo B

Tipo de ventana

FW

FW = Ventana plana


Hoja de datos: fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46


Ficha de datos


Plazo de entrega

• Unidades estándar (modelos en stock): 3~5 días laborables

• Producción estándar: 10~15 días laborables

• Pedidos por volumen: comuníquese con nosotros para conocer el cronograma de producción.

• Envío internacional: ~5 días laborables (DHL/UPS/FedEx express)

• Servicio acelerado: disponible previa solicitud


Notas de funcionamiento y manejo: fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46


• Los fotodiodos son dispositivos sensibles a descargas electrostáticas (ESD); utilice siempre la protección ESD adecuada.

• Evite tocar los cables directamente con los dedos desnudos para evitar contaminación y daños por ESD.

• Guarde los dispositivos no utilizados en envases resistentes a ESD o en bandejas conductoras para evitar daños por descargas electrostáticas.


Etiquetas calientes: China Fotodiodo PIN InGaAs de 1 mm TO46 Fabricante, proveedor, fábrica
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